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[신제품］인피니언, SiC 기반 1,200 V 전력 모듈

  • 편집부 기자
  • 입력 2021.01.01 00:00

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[신제품］인피니언, SiC 기반 1,200 V 전력 모듈
인피니언, SiC 기반 1,200 V 전력 모듈
DIL 몰딩 하우징 채택…EM·과부하 요건 충족

인피니언 테크놀로지스는 1,200 V 트랜스퍼 몰딩 실리콘 카바이드(SiC) 고집적 전력 모듈 CIPOS™ Maxi IPM IM828을 출시한다고 밝혔다. 이 시리즈는 업계 최초의 SiC 기반의 1,200V IPM이다. 이 컴팩트한 인버터 솔루션은 열전도가 우수하고 넓은 범위의 스위칭 속도를 지원하므로 산업용 모터 드라이브, 펌프 드라이브, HVAC의 능동 필터 등 가변속 드라이브 애플리케이션의 3상 AC 모터와 영구 자석 모터에 적합하다.

CIPOS Maxi IPM은 6채널 1,200 V SOI(silicon on insulator) 게이트 드라이버와 6개 CoolSiC™ MOSFET을 통합하여 시스템 신뢰성을 높이고 PCB 크기와 시스템 비용을 줄여준다. DIP 36x23D 패키지는 1,200 V IPM으로는 크기가 가장 작아 동급최고의 전력 밀도와 성능을 달성한다. IM828 시리즈는 듀얼-인-라인(Dual In-Line, DIL) 몰딩 하우징을 채택해 까다로운 EMI 요건과 과부하 보호 요구를 충족한다.

이외에도, 견고한 6채널 SOI 게이트 드라이버는 데드 타임 기능을 사용해서 스위치가 변경되는 과도상황에서 손상을 방지한다. 또한 모든 채널에서 저전압 록아웃 기능과 과전류 셧다운 기능을 제공한다. 다기능 핀은 다양한 용도에 따라 설계 유연성을 높인다. 또한 UL 인증을 받은 온도 서미스터를 내장했다. 또한, 하측 이미터 핀을 액세스하여 모든 위상 전류 모니터링을 할 수 있으므로 디바이스를 손쉽게 제어할 수 있다.

한편, 인피니언 테크놀로지스는 1,200 V 3상 게이트 드라이버를 출시하면서 레벨 시프트 EiceDRIVER™ 포트폴리오를 확대한다고 2020년 1월 3일 밝혔다. 인피니언 테크놀로지스의 SOI(silicon-on-insulator) 기술을 기반으로 한 이 제품은 네거티브 VS 트랜션트 내성, 래치업 내성 및 빠른 과전류 보호를 제공하고, 부트스트랩 다이오드를 모노리식으로 통합했다. 따라서 BOM을 낮추고 컴팩트한 폼팩터로 견고한 설계가 가능해 산업용 드라이브 및 임베디드 인버터 애플리케이션에 적합하다.

인피니언 테크놀러지스 코리아 02-3460-0900 www.infineon.com/cms/korea/kr 
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