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삼성전자, 온디바이스 AI 시대에 최적화된 ‘UFS 5.0 메모리 솔루션’개발

  • 편집부 기자
  • 입력 2026.07.14 00:00

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삼성전자, 온디바이스 AI 시대에 최적화된 ‘UFS 5.0 메모리 솔루션’개발
업계 최고 수준의 데이터 전송 대역폭과 전력 효율을 동시에 구현
삼성전자가 온디바이스 AI 시대에 최적화된 업계 최고 성능의 차세대 UFS(Universal Flash Storage) 5.0 메모리 솔루션을 업계 최초로 개발했다. 해당 제품은 반도체 표준화 기구 ‘JEDEC’의 최신 내장 메모리 규격인 ‘UFS 5.0’ 인터페이스를 적용했다. 특히 삼성전자의 첨단 9세대 V낸드(V9) 기반으로 개발되어, 업계 최고 수준인 10.8GB/s의 데이터 전송 대역폭과 전력 효율을 동시에 구현했다.

‘UFS 5.0’은 순차 읽기 속도 10.8GB/s, 순차 쓰기 속도 9.5GB/s를 지원해 기존 ‘UFS 4.0’대비 약 2배 이상 향상됐으며, 대용량 데이터를 더욱 빠르게 저장·처리할 수 있다. 특히 AI 응용 환경에서 요구되는 다양한 데이터 처리에 최적화돼 온디바이스 AI 환경에서 데이터 처리 지연을 줄이고, 보다 빠른 응답 속도의 AI 서비스를 지원한다. 

또한 차세대 모바일 저전력 환경에 최적화된 ▶클락 게이팅(Clock Gating, 사용하지 않는 회로의 동작 신호를 차단해 전력 효율을 높이는 기술) ▶멀티 전압(Multi Voltage, 회로별 최적 전압을 적용해 소비전력과 발열을 줄이는 기술) 등 다양한 신규 기술을 적용해 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 개선했다. 이를 바탕으로 동일한 양의 데이터를 전송할 때 소모되는 전력을 크게 낮춰, 모바일 기기의 배터리 사용 시간을 향상시켰다.

‘UFS 5.0’은 가로 7.5mm, 세로 13mm, 높이 0.9mm로 전작 대비 16.7% 작아진 패키지를 구현했다. 이로써 모바일, 웨어러블, XR 기기 등의 설계 유연성과 공간 활용성도 높이며, 최대 1TB 용량까지 제공한다.

·9세대 V낸드(V9) 기반 개발, 업계 최고 수준인 10.8GB/s의 데이터 전송 대역폭과 전력 효율 동시에 구현
·순차 읽기 속도 10.8GB/s, 순차 쓰기 속도 9.5GB/s 지원
·모바일 저전력 환경에 최적화된 클락 게이팅, 멀티 전압 등 신규 기술 적용으로 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 개선
·동일한 양의 데이터를 전송할 때 소모되는 전력을 낮춰 모바일 기기의 배터리 사용 시간 향상

삼성전자 
02-2255-0114 
www.samsung.com/sec
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