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[신제품] 온세미컨덕터, 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버 공개

  • 김경한 기자
  • 입력 2019.06.01 00:00

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[신제품] 온세미컨덕터, 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버 공개
온세미컨덕터, 다중 전력 애플리케이션 지원
절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버 공개

에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터가 독일 뉘른베르크에서 지난 5월 7일 개최된 <PCIM 유럽 2019>에서 새로운 영역의 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 발표하고 공개했다.

이는 온세미컨덕터가 새로운 PCIM에서 새로운 영역의 절연 고전류 IGBT 드라이버를 발표한 것이다. NCD(V)57000 시리즈는 태양광 인버터, 모터 드라이브, 무정전 전원 장치(UPS)와 파워트레인 및 PTC 히터와 같은 자동차 애플리케이션 등 다중 전력 애플리케이션을 목표로 하고 있다.

이 시리즈는 내부에 갈바닉 세이프(galvanic safe) 절연 기능이 내장된 고전류 단일 채널 IGBT 드라이버로서, 높은 신뢰성이 규정된 전원 애플리케이션에서 고효율 작동을 제공하도록 설계됐다. 이는 상보 입력, 오픈 드레인 폴트 및 출력 대기, 액티브 밀러 클램프(Miller clamp), 정확한 저전압 차단(UVLO), 소프트 턴 오프 기능을 가진 DESAT 보호, 네거티브 게이트 전압 핀과 시스템 설계 유연성을 위한 별도의 온/오프 드라이버 출력 핀을 제공한다.

갈바닉 절연은 UL1577의 요구사항을 충족하는 5kVrms 이상에서 적합하며, 사용 전압은 1,200V 이상이다. 이 디바이스는 강화된 안전 절연 요구사항을 충족시키기 위해 8㎜의 크리피지 디스턴스(creepage distance(입력>출력))를 보장한다.

온세미컨덕터 관계자는 “NCD(V)57000 디바이스는 7.8A의 구동 전류를 제공하고, 일부 경쟁 디바이스의 3배 이상에 달하는 7.1A의 싱크 전류를 가지고 있다”며, “이를 통해 밀러 플래토(Miller plateau) 영역에서 작동 시 더 큰 전류 성능을 발휘할 수 있는데, 첨단 보호 기능과 결합 시 이 디바이스를 업계 최고 수준의 IGBT 드라이버로 만들 수 있는 것”이라고 밝혔다.

온세미컨덕터 031-786-3700 www.onsemi.com
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