| 【신제품】 ST, MasterGaN4 출시 | |
| 2021-05-01 | |
 ST, MasterGaN4 출시 최대 200 W 고효율 전력변환 지원 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 고효율 전력변환 애플리케이션 설계를 간소화하는 MasterGaN4 디바이스를 출시했다. 이 제품은 최대 200 W까지 지원하며, 225 mΩ RDS(on)을 제공하는 2개의 대칭형 650 V GaN(Gallium Nitride) 전력 트랜지스터와 최적화된 게이트 드라이버, 회로 보호 기능을 통합하고 있다. MasterGaN4는 복잡한 게이트 제어와 회로 레이아웃 문제를 해소해 와이드 밴드갭(Wide-Bandgap) GaN 전력 반도체 설계를 간소화한다. 설계자는 작은 마그네틱 부품이나 히트싱크를 적용해 보다 작고 가벼운 전원공급 장치와 충전기, 어댑터 등을 구현할 수 있다. 또한, 3.3 V에서 15 V에 이르는 입력 전압 허용오차를 제공해 마이크로컨트롤러나 DSP 또는 FPGA와 같은 홀효과(Hall-Effect) 센서나 CMOS 디바이스에 직접 패키지를 연결해 제어할 수 있다. 그리고 GaN 트랜지스터의 스위칭 성능은 높은 동작 주파수와 열소산을 줄여 효율성을 높일 수 있다. MasterGaN4는 대칭형 하프-브리지 토폴로지는 물론, 액티브 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback) 및 액티브 클램프 포워드(Active Clamp Forward)와 같은 소프트-스위칭 토폴로지에도 적합하다. 4.75 V에서 9.5V에 이르는 공급 전압 범위를 지원하므로 기존 전원 레일에도 쉽게 연결할 수 있다. 한편, ST는 MasterGaN4와 함께 전용 프로토타입 보드(EVALMASTERGAN4)도 출시하기도 했다. ST마이크로일렉트로닉스 02-3489-0114 www.st.com
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