| 인피니언, 전력밀도 항상시키는 게이트 드라이버 출시 | |
| 2020-05-01 | |
 인피니언, 전력밀도 항상시키는 게이트 드라이버 출시 SMPS에서 전력 모스펫(MOSFET)을 턴온, 턴오프 할 때마다 기생 인덕턴스가 영전위 이상을 일으켜서 게이트 드라이버 IC를 잘못 트리거 할 수 있다. 이러한 문제를 방지하도록 인피니언 테크놀로지스는 컴팩트한 EiceDRIVER™ 1EDN TDI(truly differential inputs) 1채널 게이트 드라이버를 출시했다. 새로운 디바이스 1EDN7550U는 초소형(1.5 ㎜ × 1.1 ㎜ × 0.39 ㎜) 6핀 리드리스 TSNP 패키지로 제공된다. 이 제품은 고전력밀도, 고효율 디자인의 핵심으로 시스템 비용을 절감할 수 있도록 해준다. TSNP 패키지(1EDN7550U)는 SOT-23 제품 대비 5배 더 작은 PCB 면적을 차지한다. EiceDRIVER 1EDN TDI는 애플리케이션 레벨에서 3.3 V PWM 입력 신호로 최대 ±70 V의 정적 영전위 이상과 ±150 Vpeak의 순간적인 영전위 이상을 견딜 수 있다. 초소형 크기와 영전위 이상 견고성을 결합함으로써 이게이트 드라이버 IC 2개를 48 V 하프브리지 구성으로 작동할 수 있다. 설계자들은 PCB 레이아웃의 적합한 위치에 이들 게이트 드라이버 IC를 자유롭게 배치해서 우수한 전력 밀도를 달성할 수 있다. 리드리스 TSNP 패키지의 EiceDRIVER 1EDN7550U를 사용하여 25 V 및 40 V OptiMOS™MOSFET을 스위치드 커패시터토폴로지에서 1.2 ㎒ 스위칭 주파수로 작동할 수 있다. 이러한애플리케이션에서 3060W/in3의 높은 전력 밀도와 97.1% 피크효율(보조 손실 포함)을 달성한다. 인피니언 테크놀로지스 02-3460-0900 www.infineon.kr
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