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[신제품] 마이크로칩, 고전압 파워 개발 위한 SiC 제품 출시
2019-06-01

마이크로칩, 고전압 파워 개발 위한 SiC 제품 출시
효율성 및 전력밀도 수요증가 맞춰 고객 선택폭 확대

마이크로칩테크놀로지가 자회사인 마이크로세미(Microsemi)를 통해 검증된 견고성과 와이드 밴드갭 기술의 성능을 제공하는 실리콘 카바이드(SiC) 파워 디바이스 제품군을 출시했다.

마이크로칩의 폭넓은 마이크로컨트롤러(MCU) 및 아날로그 솔루션과 더불어 이번 SiC 디바이스는 빠르게 성장하는 시장에서의 전기차(EV) 및 다른 고전력 애플리케이션에 요구되는 신뢰성 높은 SiC 제품군의 일부로 개발됐다.

마이크로칩의 기존 SiC 전력 모듈 포트폴리오에 새롭게 추가된 제품은 700V SiC MOSFET과 700V/1,200V 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)다. 지금까지 포트폴리오에 추가된 35개 이상의 디스크리트(discrete) 제품은 대량으로 구매가 가능하며, 포괄적인 개발 서비스와 툴, 레퍼런스 디자인 등을 통해 지원된다. 또한 엄격한 테스트를 통해 뛰어난 견고성을 제공한다.

마이크로칩은 현재 다양한 전압, 정격 전류, 패키지 타입에 걸쳐 광범위한 SiC 다이, 디스크리트, 파워 모듈 제품군을 제공하고 있다.

마이크로칩의 SiC MOSFET과 SBD는 더 높은 주파수에서 더 효율적인 스위칭이 가능하고, 장기적인 신뢰성 보장을 위해 필수적인 수준에서의 견고성 테스트를 통과한다. 디바이스가 애벌런치(Avalanche) 조건에서 성능 저하나 초기 장애를 얼마나 잘 견뎌내는지를 측정하는 UIS(Unclamped Inductive Switching) 견고성 테스트에서 마이크로칩의 SiC SBD는 다른 SiC 다이오드 대비 약 20% 더 높은 성능을 보여준다. 애벌런치 조건은 전압 스파이크가 디바이스의 항복 전압을 초과하는 경우에 발생한다. 마이크로칩의 SiC MOSFET 역시 이와 같은 견고성 테스트에서 다른 제품을 능가하는 성능을 보여준다. 반복 UIS(RUIS) 테스트를 10만 회 수행한 후에도 파라미터상 전체적인 성능 저하가 거의 나타나지 않아 우수한 게이트 산화물 차폐성 및 채널 무결성을 증명한다.

마이크로칩테크놀로지 02-554-7200 www.microchipkorea.com

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