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TI, 업계 최초 완전 통합형 DDR 메모리 전원 솔루션 출시
2016-11-01

TI, 업계 최초 완전 통합형 DDR 메모리 전원 솔루션 출시
4A 동기식 DC/DC 벅 컨버터, 애플리케이션의 설계 간소화

TI 코리아(대표이사 탄즈위멍)가 업계 최초로 오토모티브 및 산업용 애플리케이션의 DDR(double data rate)2, DDR3, DDR3L 메모리 서브시스템을 위한 완전통합형 전원관리 솔루션을 출시했다. 신제품 TPS54116-Q1 DC/DC 벅 컨버터는 2.95V~6V 입력, 4A 동기식 스텝다운 컨버터이다. 1A 피크 싱크/소스 DDR 터미네이션과 버퍼드 기준(buffered reference)을 통합하고 있어 디스크리트로 구현하는 것보다 최대 50%까지 시스템크기를 줄일 수 있다. TPS54116-Q1은 인포테인먼트, ADAS, 계기판과 같은 오토모티브 애플리케이션을 위해 설계되었으나 통신, 테스트 및 측정 장비, 공장 자동화 장비의 DDR 메모리에도 사용할 수 있다.

또한, TI의 WEBENCH®온라인 설계 툴을 사용하여 TPS54116-Q1을 이용한 전력변환기 설계를 쉽고 간편하게 할 수 있으며, 전원공급장치를 더욱 빠르게 설계할 수 있다. TPS54116-Q1 벅 컨버터는 TI의 업계 선도적인 DC/DC 컨버터 제품 포트폴리오의 신제품으로 최대 2.5MHz 스위칭 주파수를 제공하고, MOSFET을 내장하고 인덕터 크기를 줄임으로써 솔루션 크기를 최소화할 수 있다. 또한, 스위칭 주파수를 중파
무선대역 위로 설정할 수 있으므로 잡음에 민감한 애플리케이션에 사용하기 적합하며, 외부 클록에 동기화할 수 있다. TI의 TDA3 시스템온칩(system on chip) 사용 시 저전력 TDA3x 기반 시스템을 위한 오토모티브 전원 레퍼런스 디자인을 통해 ADAS를 위한 TPS54116-Q1 기능의 통합적이고 최적화된 크기의 전원공급 장치를 설계할 수 있다.

TPS54116-Q1의 주요 기능 및 장점은 로우사이드 및 하이사이드 전력 MOSFET과 1A 싱크/소스 DDR VTT 터미네이션 레귤레이터를 통합하여 4A의 연속출력전류를 제공한다. 이와 함께 외부 클록 동기화기능을 가진 전류모드 제어를 통해 전체 출력부하 범위에서 고정 주파수를 유지할 수 있으며, 오토모티브 애플리케이션을 위한 4kV의 ESD(electrostatic discharge) 보호성능으로 AEC (Automotive Electronics Council)-Q100 인증을 달성한다.
TI 코리아 (02)560-6800 ti.com/kr

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