[Àü±âöµµ, ´õ ºü¸£°Ô ´õ ½º¸¶Æ®ÇÏ°Ô¨é] öµµ Â÷·®¿ë Àü±â Á¦Ç°ÀÇ ÃֽŠµ¿Çâ - ÁÖ Àüµ¿±â, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º, ÀÌÂ÷ÀüÁö È°¿ë | |
2013-03-05 | |
Àüü ¹ÐÆóÇü ÁÖ Àüµ¿±â´Â Àú¼ÒÀ½, À¯Áö º¸¼ö Àú°¨À̶ó´Â ÀÌÁ¡ÀÌ ±â´ëµÈ´Ù. ±×·¯³ª ±âÁ¸ Åëdz ³Ã°¢ ¹æ½Ä¿¡ ºñÇØ ¹æ¿¼ºÀÌ ³ª»Ú±â¿¡ ³Ã°¢ È¿À²À» ³ôÀÌ°í ¹ß¿·®À» ³·Ãç¾ß ÇÑ´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼ °³¹ß¡¤ ½Ç¿ëÈÇÑ Àüü ¹ÐÆóÇü ÁÖ Àüµ¿±â´Â ¿Ü¼±èâà¿ÆÒÀÌ ÀÖ´Â ÀÚ±â Åëdz½Ä À¯µµÀüµ¿±â´Ù. ³Ã°¢ ¹æ½ÄÀ¸·Î <±×¸² 2>¿¡¼ º¸µíÀÌ ÀüÆó¿Ü¼± ºÎÂø ³»±â ¼øȯ ¹æ½ÄÀ» ä¿ëÇßÀ¸¸ç, ³»ºÎ ³Ã°¢Ç³ ¼øȯ °æ·Î¿Í ¿ÜºÎ ³Ã°¢Ç³ ¼øȯ °æ·Î¸¦ ÅëÇØ ³»ºÎ¿Í ¿ÜºÎÀÇ ³Ã°¢Ç³À» ¼øȯ½ÃÄÑ ³Ã°¢ È¿À²À» ³ô¿´´Ù. ÇÑÆí, ³Ã°¢ ±¸Á¶´Â Åëdz¡¤ ¿ Çؼ®À» ÀÌ¿ëÇØ ÃÖÀûÀÇ ±¸Á¶¸¦ ãÀ¸¸ç, <±×¸² 3>Àº Åëdz¡¤ ¿ Çؼ® ¸ðµ¨ÀÇ ÇÑ ¿¹´Ù. ¾Õ¼ ¼³¸íÇÑ ´ë·Î ÁÖ Àüµ¿±â ³»¿¡ ³»¼±Ò®à¿ÆÒÀÌ Àִµ¥, ÀÌ ³»¼± ÆÒ¿¡¼ ¹ß»ýÇÏ´Â ¹Ù¶÷ ¼Ò¸®´Â ¿ÜºÎ¿Í Â÷ÆóÇÔÀ¸·Î½á ¼ÒÀ½À» ÁÙ¿´´Ù. ¿Ü¼± ÆÒ¿¡¼ ¹ß»ýÇÏ´Â ¹Ù¶÷ ¼Ò¸®·Î ¸»¹Ì¾ÏÀº ¼ÒÀ½Àº ¿Ü¼±ÀÇ ³¯°³ Çü»ó°ú ȯ±â±¸ Çü»óÀ» ÀûÁ¤ÈÇØ ÇØ°áÇß´Ù. °Ô´Ù°¡ ÀÌ¹Ì ¼³¸íÇÑ ¿ ±³È¯À²À» ³ôÀÎ Åëdz·Î ±¸Á¶ÀÇ Ã¤¿ëÀ¸·Î ¿Ü¼± ÆÒÀÇ Ç³·®À» ÀûÁ¤ÇÏ°Ô ÇØ Àú¼ÒÀ½È¿Í ¼ÒÇü°æ·®È¸¦ ÇÔ²² Ãß±¸ÇÔÀ¸·Î½á °³¹æÇü¿¡ ºñÇØ ¼ÒÀ½À» »ó´çÈ÷ ÁÙ¿´´Ù. ÁÖ Àüµ¿±âÀÇ ¹ßÀü ¹æÇâ Àüü ¹ÐÆóÇü ÁÖ Àüµ¿±â´Â Â÷·®¿¡ Àû¿ëÇÑ Áö 7³âÀÌ»ó Áö³ Áö±Ý±îÁö ¼øÁ¶·Ó°Ô °¡µ¿ ÁßÀÌ´Ù. ¾ÕÀ¸·Î Áö±Ýº¸´Ù ´õ ³Ã°¢ È¿À²À» ³ôÀÎ ±¸Á¶·Î ÇÑÃþ ´õ ÀÛ°í °¡º±°Ô, µ¿½Ã¿¡ ÇÑÃþ ´õ ¼ÒÀ½Àº ÁÙÀÌ°í È¿À²Àº ³ôÀÎ Á¦Ç°À» °³¹ßÇØ ³ª°¥ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. Àüö ½ÃÀå¿¡ ºÎ´Â °í³»¾ÐÍÔÒ±äâ¸ðµâ¿¡ ´ëÇÑ ¿ä±¸·Î´Â ¡ã³ôÀº ½Å·Ú¼ºÀº ¹°·Ð ¡ã´õ¿í Å« ´ëÀü·Â ¿ë·® ¡ãÀúÀü·Â ¼Õ½Ç ¡ã°í¿ÂÀ¸·Î È®´ëµÇ´Â µ¿ÀÛ ¿Âµµ¿¡ ´ëÀÀ µîÀÌ ÀÖ´Ù. °í¼º´ÉÀÎ °í³»¾Ð ¸ðµâÀº ¼Õ½Ç Àú°¨, ³ôÀº Æı« ³»·®, ±ä ¼ö¸í µî ¼¼ Ç׸ñÀ» ´õ¿í ³ôÀº ¼öÁØÀ¸·Î ±ÕÇü ÀÖ°Ô ½ÇÇöÇØ¾ß Çϸç, À̸¦ À§ÇØ »õ·Î¿î ÆÄ¿ö Ĩ ±â¼ú°ú ÆÐÅ°Áö ±¸Á¶ ¼³°è ±â¼úÀÌ ÇÊ¿äÇÏ´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â´Â ÀÌ·¯ÇÑ ½ÃÀå ¿ä±¸¿¡ ´ëÀÀÇØ ÇÑÃþ ³ôÀº °í¼º´ÉÀ» ¸ñÇ¥·Î 3.3§Ç/6.5§Ç ³»¾ÐÀÇ »õ·Î¿î HVIPM(High Voltage Intelligent Power Module)ÀÎ R½Ã¸®Áî IPMÀ» °³¹ßÇß´Ù. ¿©±â¿¡ Â÷¼¼´ë ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º·Î ±â´ëµÇ´Â źȱԼÒ(SiC: Silicon Carbide) µð¹ÙÀ̽ºµµ Àû±Ø °³¹ß ÁßÀÌ´Ù. ¿©±â¼´Â R½Ã¸®Áî HVIPM°ú °³¹ß ÁßÀÎ SiC µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Æ¯Â¡ ±×¸®°í Æò°¡ °á°ú¸¦ ¼Ò°³ÇÑ´Ù. R½Ã¸®Áî HVIPM R½Ã¸®Áî HVIPMÀº ´ÙÀ½°ú °°Àº ¼³°è ÄܼÁÆ®¸¦ ±âº»À¸·Î °³¹ßÇß´Ù. Àü±âÀû Ư¼ºÀº 3.3§Ç ³»¾ÐÀ» Áß½ÉÀ¸·Î ¼³¸íÇÑ´Ù. IGBT Ĩ ±â¼ú·Î ¼Õ½Ç Àú°¨ | R½Ã¸®ÁîÀÇ IGBT ĨÀº ±âÁ¸ PT(Punch Through)¿¡¼ »õ·Î¿î LPT(Light Punch Through) ±¸Á¶·Î ¹Ù²ã ¼¿ ±¸Á¶¸¦ ¹Ì¼¼ÈÇÏ°í ÃÖÀûÈÇØ ¿ÂOn Àü¾Ð(VCE(sat))À» ´õ¿í ³·Ãè´Ù. <±×¸² 4>´Â VCE(sat)-EoffÀÇ Æ®·¹ÀÌµå ¿ÀÇÁ °î¼±(Trade-off Curve)À¸·Î, ±âÁ¸ HVIPM°ú µ¿ÀÏÇÑ Eoff·Î ºñ±³ÇßÀ» ¶§ VCE(sat)°¡ 25% Àú°¨ÇßÀ½À» ¾Ë ¼ö ÀÖ´Ù. µ¿ÀÛ ¿Âµµ ¹üÀ§ È®´ë | ±âÁ¸ HVIPMÀÇ µ¿ÀÛ ¿Âµµ ¹üÀ§´Â IGBT¿Í DiodeÀÇ Àü·Â ¼Õ½Ç Áõ°¡¿¡ µû¸¥ ¿ Æı«, ÆÐÅ°Áö ±¸¼º Àç·áÀÇ ¿Âµµ Á¦¾à µî°ú °°Àº ÀÌÀ¯·Î -40¡É~125¡É·Î Á¦ÇѵƴÙ. À̹ø¿¡ Àü·Â ¼Õ½ÇÀ» ÁÙÀÓÀ¸·Î½á °í¿Â µ¿ÀÛÀÌ °¡´ÉÇÑ »õ·Î¿î ±¸Á¶ÀÇ IGBT¿Í Diode¸¦ ä¿ëÇÏ°í, ¸ðµâ ³» Àý¿¬À» È®º¸Çϱâ À§ÇÑ ÃæÁøÀç(½Ç¸®ÄÜ °Ö)¿¡ »õ·Î¿î Àç·á¸¦ Àû¿ëÇÔÀ¸·Î½á Â÷´Ü ³»·®(Reverse Bias Safe Operating Area: RBSOA)À» ºñ·ÔÇÑ µ¿ÀÛ ¿Âµµ ¹üÀ§¸¦ -50¡É~150¡É·Î È®´ëÇß´Ù. Á¤°Ý Àü·ù Çâ»ó | R½Ã¸®Áî´Â VCE(sat)-EoffÀÇ Æ®·¹À̵å¿ÀÇÁ¸¦ ±âÁ¸ ´ëºñ ¾à 25% °³¼±ÇßÀ¸¸ç, 3.3§Ç³»¾ÐÀÇ R½Ã¸®Áî HVIPMÀÇ Á¤°Ý Àü·ù´Â ±âÁ¸ 1200A¿¡ ºñÇØ 25% ³ôÀÎ 1500A´Ù. ¶ÇÇÑ, ÅëÀü ½Ã ¸ðµâ ³» ÁÖ Àü±Ø ¹ß¿À» ¾ïÁ¦ÇÏ°íÀÚ ³»ºÎ ¹è¼± ±¸Á¶¸¦ ÃÖÀûÀ¸·Î ¼³°èÇØ ¹è¼± ÀúÇ×À» ±âÁ¸ ´ëºñ 50% ³·ÃãÀ¸·Î½á Á¤°Ý Àü·ù¸¦ ³ô¿´´Ù. ³ôÀº Æı« ³»·®¡¤ ±ä ¼ö¸í ¼³°è | Á¦Ç°ÀÌ Àû¿ëµÇ´Â ½ÃÀåÀÇ »çȸÀû Á߿伺À» »ý°¢Çϸé HVIPM¿¡´Â ³ôÀº ½Å·Ú¼ºÀÌ ¿ä±¸µÈ´Ù. ¾ÈÀü µ¿ÀÛ ¿µ¿ª¿¡¼ ÃæºÐÇÑ Æı« ³»·®À» °¡Á®¾ß ÇÑ´Ù´Â °Íµµ ±×Áß Çϳª·Î ¿°ÅµÇ´Â ³»¿ëÀÌ´Ù. R½Ã¸®Áî¿¡¼´Â ÃÖ´ë Á¢ÇÕ ¿Âµµ 150¡É¿¡¼ IGBT¿¡´Â Á¤°Ý Àü·ùÀÇ 3¹è(2500V/4500A)ÀÇ Â÷´Ü ³»·® ½ÃÇèÀ», Diode¿¡´Â Á¤°Ý Àü·ùÀÇ 2.5¹è(2500V/4000A)ÀÇ ¿ª ȸº¹ ³»·® ½ÃÇèÀ» ½Ç½ÃÇß´Ù. ±× °á°ú, µ¿ÀÛ ÆÄÇü¿¡¼ Áøµ¿¹ß»ý µî ÀÌ»óÇÑ °Åµ¿ ¾øÀÌ ¾ÈÁ¤µÇ°Ô µ¿ÀÛÇÔÀ» È®ÀÎÇß´Ù. ¶ÇÇÑ, ¸ðµâ ³» º´·Ä Á¢¼ÓÇÑ Ä¨ »çÀÌÀÇ Àü·ù ºÒ±ÕÇüÀ̳ª ¹æ¿ ºÒ±ÕÇüÀ» °³¼±ÇÏ°íÀÚ ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇØ ¸ðµâ ³» Àü·ù ºÐ·ù Çؼ®°ú ¿ Çؼ®À» ÇàÇØ ¿ÍÀÌ¾î º»µù, Ĩ ¹èÄ¡ µî ÃÖÀûÈµÈ ÆÐÅ°Áö ±¸Á¶·Î ¼ö¸íÀ» ´Ã¿´´Ù. ½Ç¸®ÄÜ(Si)¿¡¼ źȱԼÒ(SiC)·Î öµµ Â÷·®¿ë ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º´Â Áö±Ý±îÁö ºñ¾àÀûÀ¸·Î ¹ßÀüÇØ ¿ÔÀ¸³ª, ½Ç¸®ÄÜ(Si) µð¹ÙÀ̽º¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ °í¼º´ÉÈ´Â ÃÖ±Ù µé¾î Æ÷È °æÇâÀ» º¸ÀδÙ. ÀÌ ¶§¹®¿¡ Si¿Í ºñ±³ÇØ ¼Õ½ÇÀÌ ³·°í °í¿Â¿¡¼ µ¿ÀÛÇϴ źȱԼÒ(SiC)°¡ Â÷¼¼´ë ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º Àç·á·Î ±â´ë¸¦ ¸ðÀº´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â´Â SiC-MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), SiCSBD(Schottky Barrier Diode) °³¹ßÀ» ÁøÇàÇßÀ¸¸ç, 1.2§Ç ³»¾ÐÀÇ SiC-MOSFET¿Í SiC-SBD¸¦ Á¶ÇÕÇÑ SiC ÀιöÅÍ·Î 2006³â ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î 3.7§Ò Á¤°Ý »ï»ó¸ðÅÍ ±¸µ¿¿¡ ¼º°øÇß´Ù. 2008³â¿¡´Â 11§Ò±Þ SiC ÀιöÅ͸¦ °³¹ßÇØ Si ÀιöÅÍ ´ëºñ üÀû¿¡¼ 75% Àú°¨, ¼Õ½Ç¿¡¼ 70% Àú°¨À» ´Þ¼ºÇß´Ù. Áö±Ýº¸´Ù ´õ ³ôÀº ³»¾ÐÈ °³¹ßµµ ÁøÇà ÁßÀ̸ç, 1.7§Ç ³»¾Ð SiCMOSFET¿¡¼ ¿Â ÀúÇ×ÀÌ ³·Àº µ¿½Ã¿¡ ½ºÀ§Äª ¼Õ½ÇÀ» ³·Ãâ ¼ö ÀÖÀ½À» È®ÀÎÇß´Ù. ÇÑÆí, SiC-SBD¿Í Si-IGBT¸¦ Á¶ÇÕÇÑ ÇÏÀ̺긮µå±¸Á¶ÀÇ Á¤°Ý 1.2§Í/1.7§Ç ´ë¿ë·® ¸ðµâ(2¼ÒÀÚ)À» °³¹ßÇß´Ù. ÀÌ ¸ðµâÀº Si µð¹ÙÀ̽º ¸ðµâ°ú ºñ±³ÇØ IGBTÀÇ ÅÏ ¿Â ¼Õ½ÇÀ» 55%, DiodeÀÇ ¿ª ȸº¹ ¼Õ½ÇÀ» 95% Àú°¨ÇÑ´Ù. ÀÌ ¸ðµâ 3°³¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ÀιöÅͷΠöµµ Â÷·®¿ë »ï»ó ¸ðÅ͸¦ ±¸µ¿½ÃÄÑ Ãâ·Â 300§Ò¸¦ ¾òÀ» ¼ö ÀÖÀ½À» ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î ½ÇÁõÇß´Ù. ÀÌ ÀιöÅÍ´Â ±âÁ¸ Si ÀιöÅÍ¿Í ºñ±³ÇØ Àü·Â ¼Õ½ÇÀ» ÃÖ´ë 28% ÁÙÀ̸ç, ½ÇÁ¦ ÁÖÇàÀ» »óÁ¤ÇÑ Æò±Õ ¼Õ½Ç¿¡¼µµ 18% ÁÙÀδÙ(<±×¸² 6> ÂüÁ¶). ÆÄ¿ö ¸ðµâÀÇ ÇâÈÄ Àü°³ R½Ã¸®Áî HVIPM°ú °³¹ß ÁßÀÎ SiC µð¹ÙÀ̽º µî ¼Õ½ÇÀÌ ³·°í °í¿Â¿¡¼ µ¿ÀÛÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÆÄ¿ö ¸ðµâÀ» öµµ Â÷·®¿ë Àü·Â º¯È¯ ÀåÄ¡¿¡ ÀÀ¿ëÇÏ¸é ¿¡³ÊÁö¸¦ Å©°Ô Àý¾àÇÏ´Â µ¿½Ã¿¡ Àû¿ë ÀåÄ¡ÀÇ Ãâ·ÂÀ» ³ôÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ¡ã³Ã°¢±âÀÇ ¼ÒÇüÈ ¡ãȯ°æ ºÎÇÏ°¡ ÀÛÀº ³Ã¸ÅÀÇ Àû¿ëÀ» ±â´ëÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ¿©±â¿¡ ȯ°æÀ» »ý°¢ÇÑ Àü·Â º¯È¯ ÀåÄ¡°¡ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â È¿°úµµ ÀÖ´Ù. ¾ÕÀ¸·Î öµµ Â÷·®¿ë ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ¼º´ÉÀº ´õ¿í ³ô¾ÆÁú °ÍÀÌ´Ù. ÃÖ±Ù ¸®Æ¬ ÀÌ¿Â ÀüÁö¸¦ ºñ·ÔÇÑ Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ¼º´ÉÀÌ Çâ»óµÇ°í, »ê¾÷ ¿ëµµ·Îµµ Àû¿ëÇϱ⠽ÃÀÛÇÏ¸é¼ È¸»ý ¿¡³ÊÁö Èí¼ö, °¡¼± Àü¾ÐÀÇ º¸¿Ï ¿ëµµ µî Àü±âöµµ¿¡ Àû¿ëÇÏ´Â ¹æ¾Èµµ °ËÅä ÁßÀÌ´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼µµ Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ Ã¶µµÂ÷·®¿ë ½Ã½ºÅÛÀ» °³¹ßÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ÀϺδ ÀÌ¹Ì ½ÇÁ¦ Â÷·®¿¡¼ ½ÃÇèÀ» ¸¶Ä¡°í ¿µ¾÷¿ë Â÷·® žÀç°¡ °¡´ÉÇÑ ´Ü°è·Î±îÁö ÁøÇàÇß´Ù. ¿©±â¼´Â ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼ Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ Àü±â öµµ¿¡ ÀÀ¿ëÇÑ »ç·Ê¸¦ ¼Ò°³ÇÑ´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â´Â Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ ¡ãÀ׿© ȸ»ý Àü·Â Èí¼ö ½Ã½ºÅÛ ¡ã¹é¾÷ Àü¿øÀ¸·Î ÀÌ¿ë ¡ãÃàÀüÁö Â÷ µî ¼¼ °¡Áö ¿ëµµ·Î ÀÌ¿ëÇÏ°íÀÚ °¢°¢¿¡ ´ëÇØ °³¹ß°ú ½ÇÁ¦ Â÷·® °ËÁõÀ» ÇÏ°í ÀÖ´Ù. °¢ ¿ëµµº°·Î »ó¼¼ÇÏ°Ô »ìÆ캸ÀÚ. À׿© ȸ»ý Àü·Â Èí¼ö ½Ã½ºÅÛ | ÀüÂ÷°¡ °¨¼ÓÇÒ ¶§ ¸ðÅ͸¦ ¹ßÀü±â·Î ÀÌ¿ëÇØ ºê·¹ÀÌÅ© ½Ã ¹ß»ýÇÏ´Â ¿¡³ÊÁö¸¦ °¡¼±À¸·Î ´Ù½Ã º¸³»´Â ȸ»ý ºê·¹ÀÌÅ©¸¦ ÀÌ¿ëÇϳª, °°Àº ³ë¼±À» ÁÖÇàÇÏ´Â ¿Â÷ÀÇ ºÎÇÏ ¼Òºñ°¡ ÀûÀ¸¸é ȸ»ý °¡´ÉÇÑ ÀϺΠÀü·Â¸¸ °¡¼±À¸·Î º¸³»°í ³ª¸ÓÁö´Â ±â°è ºê·¹ÀÌÅ©¿¡ ÀÇÇØ ¿·Î ¹ß»êµÈ´Ù. ÀÌ·¸°Ô ¿·Î ¹ß»êµÇ´Â ¿¡³ÊÁö¸¦ À¯È¿ÇÏ°Ô È°¿ëÇϱâ À§ÇØ, <±×¸² 7>¿¡¼ º¸µíÀÌ Â÷·®¿¡ Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ žÀçÇØ ºê·¹ÀÌÅ© ½Ã¿¡ ȸ»ý Àü·ÂÀÇ ÀϺθ¦ ȸ¼öÇÏ°í, ¿ªÇà ½Ã¿¡ ±× Àü·ÂÀ» ¼ÒºñÇÔÀ¸·Î½á Àüü ¿¡³ÊÁö ¼Òºñ·®À» ÁÙ¿´´Ù. ¶ÇÇÑ, ȸ»ý ºê·¹ÀÌÅ©¸¦ ¾ÈÁ¤ÀûÀ¸·Î È®º¸ÇØ Â÷·® ¼º´ÉÀ» ³ô¿´´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼´Â ½ÇÁ¦Â÷·®¿¡ Àü·ÂÀúÀåµð¹ÙÀ̽º, ÃàÀü Àü·Â Á¦¾î¸¦ À§ÇÑ Àü·Â º¯È¯ ÀåÄ¡ µîÀ» žÀçÇØ È¸»ýÀü·ÂÇâ»óÀÇ °³¼±È¿°ú¸¦ È®ÀÎÇß´Ù. ¹é¾÷ Àü¿øÀ¸·Î ÀÌ¿ë | °¡¼± Á¤Â÷ ½Ã, º»¼± »óÀÇ ¿Â÷°¡ ¿Àµµ °¡µµ ¸øÇØ ½Â°´ÀÌ Â÷ ³»¿¡ °¤È÷°í, ¶Ç ¿Â÷ ¿îÇà¿¡ È¥¼±ÀÌ »ý±â´Â ÀÏÀ» ¸·°íÀÚ °¡Àå °¡±î¿î ¿ª±îÁö ÀÚ·ÂÀ¸·Î ȸ¼ÛÇϱâ À§ÇÑ ¹é¾÷ Àü¿øÀ¸·Î Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼´Â ÀÌ ¹é¾÷ Àü¿øÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ÁÖ È¸·Î ½Ã½ºÅÛÀÇ µ¿ÀÛÀ» ½ÃÇè ¼³ºñ¿¡¼ °ËÁõÇÑ °á°ú, ¾çÈ£ÇÏ°Ô µ¿ÀÛÇÔÀ» È®ÀÎÇß´Ù. ÃàÀüÁö Â÷ | <±×¸² 8>Àº ÃàÀüÁö Â÷ ½Ã½ºÅÛÀÇ °³·«ÀûÀÎ ±¸¼ºµµ´Ù. ÀÌ ½Ã½ºÅÛÀº ºñÀü·ÂÈ ±¸°£À» ÁÖÇàÇÏ´Â Â÷¼¼´ë Â÷·®À¸·Î, ±âÁ¸ ±âµ¿Â÷¿Í ºñ±³ÇØ CO©üÀú°¨, ¹èÃâ°¡½º Á¦·Î, Àú¼ÒÀ½À» ¸ñÀûÀ¸·Î °³¹ßÀ» ÁøÇàÇØ ¿Ô´Ù. Ư¡Àº ´ÙÀ½°ú °°´Ù. ¡¤ ºñÀü·ÂÈ ±¸°£Àº Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ Àü¿øÀ¸·Î ÁÖÇàÇϸç, Àü·ÂÈ ±¸°£/ºñÀü·ÂÈ ±¸°£ÀÇ Á÷Åë ¿îÀüÀÌ °¡´É. ¡¤ Àü·ÂÈ ±¸°£¿¡¼´Â Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¿Í °¡¼±¿¡¼ ¹ÞÀº Àü·ÂÀ» ÇÔ²² ¾²´Â, À̸¥¹Ù °¡¼± ÇÏÀ̺긮µå ½Ã½ºÅÛÀ¸·Î µ¿ÀÛ °¡´É. ¡¤ Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º ÀÌ»ó ½Ã, À̸¦ °³¹æÇØ °¡¼±¿¡¼ ¹ÞÀº Àü·Â¸¸À¸·Î ÁÖÇàÇÒ ¼ö ÀÖ¾î ¸¸ÀÏÀÇ »çÅ¿¡ ´ëºñÇÑ ½Ã½ºÅÛ. ¡¤ ºñÀü·ÂÈ ±¸°£¿¡¼ ½Ã½ºÅÛÈ¿À²À» ³ôÀΠȸ·Î±¸¼º. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼´Â ÀÌ ÃàÀüÁö Â÷ÀÇ ÁÖ È¸·Î ½Ã½ºÅÛÀÇ µ¿ÀÛÀ» ½ÃÇè ¼³ºñ¿¡¼ °ËÁõÇÑ °á°ú, ¾çÈ£ÇÏ°Ô µ¿ÀÛÇÔÀ» È®ÀÎÇß´Ù. µðÁ© ÇÏÀ̺긮µå °³¹ß ¾Õ¼ ¼³¸íÇÑ ´ë·Î ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼´Â À׿© ȸ»ýÀü·Â Èí¼ö ½Ã½ºÅÛ, ¹é¾÷ Àü¿ø, ÃàÀüÁö Â÷, ÀÌ ¼¼ ¿ëµµ¿¡ ´ëÇØ ½Ã½ºÅÛ °ËÁõÀ» ½Ç½ÃÇØ °¢°¢ÀÇ µ¿ÀÛÀÌ ¾çÈ£ÇÔÀ» È®ÀÎÇß´Ù. ¾ÕÀ¸·Î Áö±Ý±îÁöÀÇ °ËÁõ °á°ú¸¦ ¹ßÆÇ»ï¾Æ ¿µ¾÷¿ë Â÷·®¿¡ Àû¿ëÇØ ³ª°¥ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. ÇÑÆí, ¼³¸íÇÑ °Í°ú´Â ´Ù¸¥ ½Ã½ºÅÛÀ¸·Î, µðÁ© ¿£Áø°ú Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ º´¿ëÇÑ µðÁ© ÇÏÀ̺긮µå½Ã½ºÅÛÀÌ ÁÖ¸ñ¹Þ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ ½Ã½ºÅÛÀº Àü·Â ÀúÀå µð¹ÙÀ̽º¸¦ ¹é¾÷À¸·Î ÇØ ¿£ÁøÀ» °íÈ¿À² »óÅ·Π¿îÀüÇϸç, ¶Ç ¿Â÷ ºê·¹ÀÌÅ© ½ÃÀÇ È¸»ý Àü·ÂÀ» ȸ¼öÇÔÀ¸·Î½á ±âÁ¸ ±âµ¿Â÷ È¿À²À» ³ôÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù. ½Ã¸®Áî ÇÏÀ̺긮µå ÇüÅ¿¡¼´Â ±â°è ºÎÇ° ¼ö¸¦ ÁÙ¿© º¸¼ö¸¦ ÁÙÀÏ ¼öµµ ÀÖ´Ù. ¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â¿¡¼´Â ÀÌ µðÁ© ÇÏÀ̺긮µå ½Ã½ºÅÛµµ ÇâÈÄ °³¹ßÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. < Energy News > |
|