㈜와이즈파워는 12월 15일 계열사인 ㈜그랜드텍을 통해서 고휘도, 고효율 LED의 핵심 소자인 GaN(질화갈륨) 웨이퍼의 생산 공정 기술에 대한 미국 특허를 획득했다고 발표했다.
LED 칩 공정은 크게 기판에 화합물 박막층을 형성시키는 에피 공정과 LED 칩을 만드는 팹 공정, 완성된 LED를 최종제품으로 만드는 패키징 공정으로 나눌 수 있다. 그 중에서 에피 공정은 사파이어 기판에 금속화합물 박막으로 된 반도체층을 형성하여 에피 웨이퍼를 만드는 과정을 의미한다.
이번에 ㈜그랜드텍이 미국 특허출원을 완료한 기술은 바로 이에피웨이퍼를 제조하는 공정 중에서 가장 핵심이 되는 박막 형성 기술에 대한 것이다. ㈜그랜드텍은 사파이어 기판과 GaN층 사이에 완충 지대인 '나노로드(Nano Rod)'형태의 버퍼층을 형성함으로써 에피 웨이퍼의 물리적 결함을 해결했다.