| 【신제품】 텔레다인르크로이, GaN·SiC 반도체 측정 시스템 | |
| 2022-06-02 | |
 텔레다인르크로이, GaN·SiC 반도체 측정 시스템 1 ㎓ 프로브, 12비트 고화질, 높은 정확도와 샘플링 속도 텔레다인르크로이는 1 ㎓ DL-ISO 고전압 와이드밴드갭(Wide Band Gap) 프로브 및 전력 반도체 소자 테스트 소프트웨어를 출시했다고 밝혔다. 이 소프트웨어는 고해상도 오실로스코프(HDOⓡ)와 결합하여 GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스의 전기적 특성을 제공한다. 30년 이상 동안 엔지니어들은 실리콘(Si) 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 절연 게이트 바이폴라트랜지스터(IGBT) 전력 반도체 장치를 사용해 전력 공급과 전력 변환 시스템을 생산해 왔다. 그러나 최근, 더 작고 가벼우며, 높은 효율성을 가진 전원공급 장치와 시스템이 요구되고 있다 GaN, SiC 등 WBG 소재는 반도체 소자에서 Si보다 10배 이상 빠르게 전환되며, 크기와 무게는 줄이면서도 효율은 높였다. 하지만 많은 엔지니어들이 WBG 반도체를 처음 구현하고 있으며 더 많은 측정 대역폭과 반도체 디바이스에 대한 보다 정확하고 상세한 분석이 필요하다. DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 엔지니어에게 신뢰도가 높은 GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스 측정을 제공한다. 이 신제품은 12비트 해상도 HDO와 결합했을 때 1.5%에 달하는 신호 충실도, 낮은 오버슈트 및 정확도를 보인다고 한다. 1 ㎓ 대역폭은 GaN 장치 1ns 상승 시간을 측정하기 위한 요구사항을 충족한다. 또한 HDO는 고속 GaN 및 SiC 장치 신호의 가장 충실한 신호 포착 및 관측 및 측정을 할 수 있도록 12비트 해상도로 최대 20 GS/s의 샘플링 속도를 제공한다. 텔레다인르크로이의 새로운 파워 디바이스 소프트웨어 패키지는 JEDECⓡ에서 기술하고 있는 오실로스코프를 이용한 스위칭 손실 측정방법을 자동화하여 GaN 및 SiC 디바이스 손실 측정을 간단하게 수행할 수 있으며, 턴온(Turn-on), 턴오프(Turn-off) 등의 측정 대상 영역을 하이라이트한 컬러 오버레이 기능으로 구분하여 표시한다. 텔레다인르크로이 02-3452-0400 teledynelecroy.com/korea
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