 ST마이크로일렉트로닉스, 새로운 MasterGaN 고효율 전력변환 지원…45 W·150 W 애플리케이션
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 고효율 ‘와이드밴드갭’ (Wide-Bandgap) 기술로 보다 간편하게 이행할 수 있도록 최대 45 W와 150 W 애플리케이션을 각각 지원하는 ‘마스터(Master)GaN3’및 ‘마스터GaN5’통합 전력 패키지를 출시했다.
이번 디바이스들은 65 W~400 W 애플리케이션을 대상으로 하는 ‘마스터GaN1’, ‘마스터GaN2’, ‘마스터GaN4’에 이어 새롭게 추가됐다. 새로운 디바이스들은 스위칭 모드 전원공급장치나 충전기, 어댑터, 고전압 PFC(Power-Factor Correction), DC/DC 컨버터 등을 설계할 때 최적은 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 디바이스와 드라이버 솔루션을 선택할 수 있도록 추가적인 유연성을 제공한다.
ST의 ‘마스터GaN’은 일반 실리콘 MOSFET에서 질화갈륨 와이드밴드갭 전력기술로 간편하게 이행하게 해준다. 이 디바이스는 최적화된 고전압 게이트드라이버와 관련된 안전 및 보호 회로, 그리고 두 개의 650 V 전력 트랜지스터를 통합해 게이트드라이버와 회로 레이아웃 설계 문제를 해결한다.
더 높은 스위칭 주파수를 제공하는 질화갈륨 트랜지스터를 결합한 이 통합 디바이스는 실리콘 기반 설계에 비해 최대 80% 더 작으면서도 견고하고 안정적인 전원공급장치를 구현할 수 있다.
마스터GaN3 디바이스의 질화갈륨 전력 트랜지스터는 225mΩ 및 450 mΩ의 비대칭 온저항(Rds(on))을 제공하기 때문에 소프트 스위칭 및 능동 정류 컨버터에 적합하다. 마스터 GaN5의 경우, 두 트랜지스터 모두 450 mΩ Rds(on)을 제공하며, LLC 공진 및 능동 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback)과 같은 토폴로지에 사용할 수 있다.
다른 MasterGaN 제품군과 마찬가지로 두 디바이스 모두 3.3 V~15 V의 로직 신호와 호환되는 입력을 갖춰 호스트 DSP나 FPGA, 마이크로컨트롤러 그리고 홀 센서와 같은 외부 디바이스와 간편하게 연결할 수 있다. 로우 사이드 및 하이 사이드 UVLO(Undervoltage Lockout), 게이트 드라이버 인터로킹, 과열 보호, 셧다운 핀 등의 통합 보호 기능도 갖추고 있다.
<Energy News>
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