 온세미컨덕터, 전기차 충전용 SiC MOSFET 모듈 와이드밴드갭 디바이스 포트폴리오…APEC 2021서 공개 온세미컨덕터가 6월 14일부터 17일(현지시간)까지 온라인으로 개최된 ‘APEC 2021’서 1,200 V 풀 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 하프브리지 모듈을 발표했다.
전기차 판매량이 지속적으로 증가하면서 인프라 구축에 대한 요구가 높아졌다. 또한, 주행거리 불안 없이 급속하게 충전할 수 있는 네트워크의 필요성도 커지고 있다. 이에 따라, 350 ㎾ 이상의 전력을 95%가 넘는 효율로 공급하는 것이 표준이 되고 있으며, 소형화와 견고성, 신뢰성은 설계자가 직면한 도전 과제로 부상하고 있다.
온세미컨덕터가 공개한 1,200 V M1 풀 SiC MOSFET 하프브리지 모듈은 플라나(Planar) 기술을 기반으로 하고, 18~20V 범위의 드라이브 전압을 네거티브 게이트 전압으로 인가 해 구동된다. 그리고 트렌치 MOSFET에 비해서 더 큰 크기의 다이를 탑재해 열저항이 낮아 동일한 동작 온도에서 다이 온도를 더 낮출 수 있다.
2-팩 하프브리지로 구성된 NXH010P120MNF는 F1 패키지를 사용하는 10 mΩ 디바이스이며, NXH006P120MNF2는 F2 패키지의 6 mΩ 디바이스이다. 두 패키지 모두 프레스핏 핀이 있어 산업용 애플리케이션에 적합하며, NTC 서미스터가 내장돼 온도 모니터링이 용이하다.
또한, 이번에 공개된 SiC MOSFET 모듈은 온세미컨덕터 전기차 충전 기술 생태계의 일부로, NCD5700x 시리즈와 같은 드라이버 솔루션과 함께 동작하도록 설계됐다. 최근 공개된 NCD57252 듀얼 채널 절연 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버는 5 ㎸의 갈바닉 절연 기능을 제공하며 듀얼 로우사이드, 듀얼 하이사이드 또는 하프브리지 동작을 위해 사용될 수 있다.
NCD57252는 소형 SOIC-16 와이드 바디 패키지로 제공되며, 로직 레벨 인풋(3.3 V, 5 V, 15 V)을 입력으로 받을 수 있다. 일반적인 동작 지연(propagation delay) 시간이 60 ns이므로 고 전류 디바이스(밀러 플래토 전압에서 4.0 A 소스 / 6.0 A 싱크)로써 고속 동작이 필요한 곳에 사용할 수 있다.
<Energy News>
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