 온세미컨덕터, 650V SiC MOSFET 공개 뛰어난 스위칭과 높은 신뢰성으로 전력 밀도 향상
온세미컨덕터가 전력 밀도, 효율성, 신뢰성이 요구되는 까다로운 애플리케이션을 위한 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 디바이스를 공개했다. 설계자들은 기존 실리콘 스위칭 기술을 새로운 SiC 디바이스로 대체함으로써, 전기차 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, 서버 전원공급장치(PSU), 통신, 무선 전원공급장치(UPS) 등에 더 나은 성능을 제공할 수 있다.
자동차용 AECQ101과 산업용 품질 표준을 만족하는 온세미 컨덕터의 새로운 650V SiC MOSFET은 실리콘에 비해 우수한 스위칭 성능과 개선된 열특성을 제공하는 새로운 와이드밴 드갭(WBG) 소재를 기반으로 하고 있다. 이를 통해 시스템 레벨에서 효율성을 높이고, 전력 밀도를 향상하며, 전자파(EMI)를 낮추고, 시스템 크기 및 중량도 줄일 수 있다.
이번에 출시한 SiC MOSFET은 650 V 내압에서 높은 Rsp(Rdsonx 넓이)를 구현할 수 있는 첨단 박형 웨이퍼 기술을 활용한 ‘활성 셀 설계법’을 채택했다고 한다. D2PAK7L 및 To247 패키지로 제공되는 NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1, NTH4L015N065SC1은 매우 낮은 12 mΩ의 온저항을 보여준다. 또한 이 기술은 에너지 손실 수치 지수에 최적화돼 자동차 및 산업용 애플리케이션에서 우수한 성능을 제공할 수 있다. 내부 게이트 저항(Rg)을 이용하면 설계자가 외부 게이트 저항을 추가하여 인위적으로 디바이스의 속도를 더 낮출 필요가 없어지므로 설계 유연성도 제공한다. 또한, 높은 서지 및 아발란치를 견디며, 쇼트 서킷 견고성을 제공하므로 내구성이 강화되고 신뢰성이 증가하여 디바이스 수명을 높일 수 있다.
<Energy News>
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