|
|
|
|
[½ÅÁ¦Ç°] ·Î¿È, ¿¡³ÊÁö Àý¾àÇü AC/DC ÄÁ¹öÅÍ IC °ø°³
|
|
2019³â 5¿ù 1ÀÏ (¼ö) 00:00:00 | Áö¸é ¹ßÇà ( 2019³â 5¿ùÈ£ - Àüü º¸±â )
|
·Î¿È, »ê¾÷±â±â ¼ÒÇüÈ·°í½Å·ÚÈ·ÀúÀü·ÂÈ ±¸ÇöÇÏ´Â ¿¡³ÊÁö Àý¾àÇü AC/DC ÄÁ¹öÅÍ IC °ø°³
·Î¿È ÁÖ½Äȸ»ç°¡ ´ëÀü·ÂÀ» Ãë±ÞÇÏ´Â ¹ü¿ë ÀιöÅÍ ¹× AC ¼º¸, »ê¾÷¿ë ¿¡¾îÄÁ, °¡·Îµî µîÀÇ »ê¾÷±â±â¿ëÀ¸·Î, 1,700V ³»¾Ð SiC MOSFET ³»Àå AC/DC ÄÁ¹öÅÍ ICÀÎ BM2SCQ12xT-LBZ¸¦ °³¹ßÇß´Ù°í ¹àÇû´Ù.
BM2SCQ12xT-LBZ´Â AC/DC ÄÁ¹öÅÍ IC·Î¼´Â ¾ÐµµÀûÀÎ ¿¡³ÊÁö Àý¾à ¼º´ÉÀ» ÀÚ¶ûÇÏ´Â SiC MOSFET¸¦ ³»ÀåÇß´Ù. À̸¦ ÅëÇØ µð½ºÅ©¸®Æ® ºÎÇ°À¸·Î ±¸¼ºÇÒ °æ¿ìÀÇ ¼³°è °úÁ¦¸¦ ÇØ°áÇÔÀ¸·Î½á ÀúÀü·Â AC/DC ÄÁ¹öÅ͸¦ °£´ÜÇÏ°Ô °³¹ßÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Á¦Ç°ÀÌ´Ù. ±×µ¿¾È »ê¾÷±â±âÀÇ º¸Á¶Àü¿ø¿¡´Â ³»¾ÐÀÌ ³·Àº Si-MOSFET ¹× ¼Õ½ÇÀÌ Å« IGBT°¡ ³Î¸® ä¿ëµÈ °ü°è·Î, ÀúÀü·ÂÈ¿¡ Å« °úÁ¦°¡ ÀÖ¾ú´Âµ¥ À̸¦ ÇØ°áÇÑ °ÍÀÌ´Ù.
»ê¾÷±â±âÀÇ º¸Á¶ Àü¿ø¿ëÀ¸·Î ÃÖÀûÈµÈ Á¦¾î ȸ·Î¿Í SiC MOSFETÀÇ 1ÆÐÅ°Áöȸ¦ ÅëÇØ, ÀϹÝÇ° ±¸¼º ´ëºñ ´ëÆøÀûÀÎ ºÎÇ°¼ö »è°¨(12°³ ºÎÇ°°ú ¹æ¿ÆÇÀ» 1°³ÀÇ ºÎÇ°À¸·Î »è°¨)°ú ºÎÇ° °íÀå ¸®½ºÅ© Àú°¨, SiC MOSFET ä¿ë¿¡ ´ëÇÑ °³¹ß °ø¼ö »è°¨ µîÀ» µ¿½Ã¿¡ ½ÇÇöÇß´Ù. ¶ÇÇÑ, ±âÁ¸Ç° ´ëºñ ÃÖ´ë 5%ÀÇ Àü·Â °íÈ¿À²È(Àü·Â ¼Õ½Ç·Î ġȯÇϸé 28% »è°¨)¸¦ ½ÇÇöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
ÀÌ ½ÅÁ¦Ç°ÀÇ ÁÖ¿ä Ư¡À¸·Î´Â ¡ãÃÖ´ë 12°³ ºÎÇ°°ú ¹æ¿ÆÇÀ» 1ÆÐÅ°ÁöÈÇØ ¾ÐµµÀûÀÎ ¼ÒÇüÈ ½ÇÇö, ¡ã°ø¼ö ¹× ¸®½ºÅ© Àú°¨°ú º¸È£ ±â´ÉÀ» žÀçÇØ ´ëÆøÀûÀÎ °í½Å·ÚÈ ½ÇÇö, ¡ãSiC MOSFETÀÇ ¼º´ÉÀ» ÃÖ´ëÈÇØ ´ëÆøÀûÀÎ ÀúÀü·ÂÈ ½ÇÇöÀÌ ÀÖ´Ù.
ÀÌ Á¦Ç°Àº ¿ÃÇØ 1¿ùºÎÅÍ »ùÇÃ(»ùÇà °¡°Ý 2õ500¿£/°³, ¼¼±Ý ºÒÆ÷ÇÔ) ÃâÇϸ¦ °³½ÃÇßÀ¸¸ç, ¿ÃÇØ 5¿ùºÎÅÍ ¿ù 10¸¸ °³ÀÇ »ý»ê üÁ¦·Î ¾ç»êÀ» °³½ÃÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
·Î¿È °ü°èÀÚ´Â “¾ÕÀ¸·Îµµ SiC µð¹ÙÀ̽º µîÀÇ ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼¿Í À̸¦ Á¦¾îÇϱâ À§ÇÑ IC¸¦ °³¹ßÇØ ÃÖÀûÈµÈ Á¦Ç°À» Á¦°øÇÔÀ¸·Î½á, »ê¾÷±â±âÀÇ ÀúÀü·ÂÈ ¹× ½Ã½ºÅÛÀÇ ÃÖÀûÈ¿¡ ±â¿©ÇØ ³ª°¥ °Í”À̶ó°í ¹àÇû´Ù.
·Î¿È ¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ ÄÚ¸®¾Æ 02-818-2700 www.rohm.co.kr
<Energy News>
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
°ú¿ùÈ£ º¸±â:
|
|
|
|
|
|
|