인피니언, 600V CoolMOS™ MOSFET 출시

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인피니언, 600V CoolMOS™ MOSFET 출시

2017년 5월 1일 (월) 00:00:00 | 지면 발행 ( 2017년 5월호 - 전체 보기 )

인피니언, 600V CoolMOS™ MOSFET 출시

최상 효율 제공… 높은 전력밀도·낮은 전력손실

인피니언테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 600V CoolMOS™ P7및 600V CoolMOS™ C7 Gold(G7)시리즈를 출시했다. 600V 내압으로 설계된 이들 제품은 향상된 수퍼정션 MOSFET성능을 제공하며, 타깃 애플리케이션에서 이전에 볼 수 없었던 전력밀도를 달성한다. P7 제품은 설계 시에 사용 편의성이 뛰어나고, 최상의 효율과 최적화된 가격대 성능비를 제공한다. 이 시리즈는 충전기, 어댑터, 조명, TV, PC 전원, 태양광, 서버, 텔레콤, EV 충전 등의 애플리케이션에 적합하며, 100W~15kW의 전력용량을 지원한다. 다양한 토폴로지에서 최대 1.5퍼센트 효율향상을 달성하며, 경쟁 제품과 비교해서 최대 4.2°C까지 열적으로 유리하다.

또한, 표면실장(SMD)과 쓰루 홀(through hole) 패키지로 37mΩ부터 600mΩ까지 RDS(on)을 제공하므로 다양한 애플리케이션 및 전력대에 사용할 수 있다. 뿐만 아니라 2kV(HBM) 이상의 뛰어난 ESD 견고성은 제조 시의 정전기 방전 손상으로부터 디바이스를 보호하므로 더 높은 생산 품질을 달성할 수 있다. 특히 견고한 바디 다이오드는 LLC 회로에서 하드 스위칭 정류구간 이벤트 시에 디바이스를 보호한다.

G7 시리즈는 RDS(on)이 더 낮고, 게이트 전하 QG를 최소화한다. 출력 커패시턴스로 저장되는 에너지를 낮추고, TO-Leadless 패키지로 4핀 켈빈 소스기능을 제공한다. 따라서 PFC 및 LLC회로에서 손실을 최소화하고, PFC회로에서 0.6퍼센트 성능 향상과 더 높은 풀 부하 시 효율을 달성한다. 또한, 1nH의 낮은 기생 소스 인덕턴스로 효율을 더욱 높인다.

TO-Leadless 패키지의 향상된 열 특성은 더 높은 전류를 사용할 수 있으며, SMD 패키지는 어셈블리 비용을 낮춘다. 특히 600V CoolMOS C7 Gold는 RDS(on)이 28mΩ부터 150mΩ 까지로 업계 최저수준이다. 기존의 D2PAK에 비해서 풋프린트는 30퍼센트, 높이는 50퍼센트, 공간은 60퍼센트 각각 줄인다. 따라서 이들 제품은 서버, 텔레콤, 산업용, 태양광 애플리케이션에서 최상의 효율과 새로운 기준의 전력 밀도를 달성한다.

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