브릿지룩스(Bridgelux Inc.)는 "기존에 달성한 GaN-on-Si(Gallium Nitride on Silicon)의 와트당 루멘 값 기록을 또한번 갱신했다"라고 밝혔다.
브릿지룩스는 자사의 버퍼 레이어Buffer Layer 특허 기술을 이용해 상온에서 보잉Bowing 현상 없이 8인치 실리콘 웨이퍼 상에서 균열 없는 GaN층 성장 구현을 성공적으로 시연했다. 이번에 달성한 성능은 첨단 사파이어 기반 LED와도 경쟁이 충분히 가능한 수준이다. Cool white LED는 4350K CCT에서 160lm/W의 높은 효율을 제공하며, GaN-on-Si 칩에서 생성된 Warm white LED는 2940K의 색온도 및 80의 CRI에서 125lm/W를 제공한다.
캡슐화된 1.5㎜ 청색 LED는 350㎃에서 콘센트의 59% 효율로 591㎽를 발광한다. 이 LED는 350㎃에서 2.85V의 매우 낮은 순방향 전압이 특징이며, 고전류 밀도에서 사용하기에 적합하다. 이 LED는 1A의 구동 전류, 3.21V 순방향 전압에서 1.52W의 청색 전력을 방출해 콘센트의 47% 효율을 제공한다. 455㎚ 평균 파장의 8인치LED 웨이퍼에서 시그마6.8㎚의 파장 균일도 또한 구현했다.
브릿지룩스 www.bridgelux.com
<Energy News>
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