 인피니언, 쇼트키 다이오드를 통합한 GaN 트랜지스터 G5 출시 불필요한 데드타임 손실을 줄여 전력 시스템 성능 향상 인피니언 테크놀로지스는 업계 최초로 쇼트키 다이오드를 통합한 산업용 GaN 전력 트랜지스터를 출시했다. 인피니언의 새로운 ‘CoolGaN 트랜지스터 G5’는 서버 및 통신 IBC, DC-DC 컨버터, USB-C 배터리 충전기용 동기식 정류기, 고전력 PSU 및 모터 드라이브에 적합한 쇼트키 다이오드가 통합된 GaN 트랜지스터를 제공함으로써 불필요한 데드타임 손실을 줄여 전력 시스템의 성능을 향상시키고, 전체 시스템 효율을 더욱 높인다. 또한 이 통합 솔루션은 전력 스테이지 설계를 간소화하고 BOM(Bill of Material) 비용도 절감한다.
일반적으로 GaN 트랜지스터는 바디 다이오드가 없기 때문에, 역전도 전압(VRC)은 임계 전압(VTH)과 오프 상태 게이트 바이어스(VGS)에 따라 달라진다. 또한 GaN 트랜지스터의 VTH는 일반적으로 실리콘 다이오드의 턴-온 전압보다 높아 역전도 동작(3 사분면) 시 불리하다. 하지만 ‘CoolGaN 트랜지스터’는 역전도 손실이 더 낮고, 더 넓은 범위의 하이사이드 게이트 드라이버와 호환되며, 데드타임 완화로 컨트롤러 호환성이 확대되면서 설계가 간소화된다.
·불필요한 데드타임 손실을 줄여 전력 시스템 성능 향상, 전체 시스템 효율 증대 ·통합 솔루션은 전력 스테이지 설계를 간소화하고 BOM(Bill of Material) 비용 절감 ·역전도 손실 낮고, 더 넓은 범위의 하이사이드 게이트 드라이버와 호환 가능, 데드타임 완화로 컨트롤러 호환성이 확대되면서 설계 간소화
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<Energy News>
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