¿Â¼¼¹Ì, Â÷¼¼´ë 1200 V ¿¤¸®Æ® ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å M3S µð¹ÙÀ̽º Ãâ½Ã Àü±âÂ÷ ¹× ¿¡³ÊÁö ÀÎÇÁ¶ó ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç È¿À²¼º Çâ»ó ¿Â¼¼¹Ì´Â ÃֽŠ1200 V ¿¤¸®Æ® ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(ÀÌÇÏ EliteSiC) ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) M3S µð¹ÙÀ̽º Ãâ½Ã¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù. ÇØ´ç µð¹ÙÀ̽º´Â Àü·Â ½Ã½ºÅÛ ¼³°èÀÚ°¡ ¾÷°è ÃÖ°í È¿À²À» ´Þ¼ºÇÏ°í ½Ã½ºÅÛ ºñ¿ëÀ» Àý°¨ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÑ´Ù. »õ·Î¿î Æ÷Æ®Æú¸®¿À¿¡´Â Áõ°¡ Ãß¼¼ÀÎ 800 V Àü±âÂ÷(EV) ¿Âº¸µå ÃæÀü±â(OBC)¿Í Àü±âÂ÷ ÃæÀü, ž籤 ¹× ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛ°ú °°Àº ¿¡³ÊÁö ÀÎÇÁ¶ó ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» Áö¿øÇϱâ À§ÇØ ´õ ºü¸¥ ½ºÀ§Äª ¼Óµµ¸¦ Áö¿øÇÏ´Â EliteSiC MOSFET°ú ¸ðµâÀÌ Æ÷ÇԵȴÙ.
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<Energy News>
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