지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미는 실리콘 카바이드(SiC) 제품군으로 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC)를 공개했다. 온세미는 미국 라스베가스에서 열리는 소비자 전자제품 박람회(CES)에서 새로운 제품 3가지인 1700 V EliteSiC MOSFET 및 1700V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(Schottky diode) 2개를 선보일 예정이다. 이 새로운 디바이스는 에너지 인프라 및 산업용 응용시스템을 위해 신뢰할 수 있는 고효율 성능을 제공하며, 이를 통해 온세미는 산업용 SiC 솔루션을 선도할 것이다.
온세미는 1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1)을 통해 고전력 산업용 응용 시스템에 필요한 더 높은 항복 전압(BV) SiC 솔루션을 제공한다. 또한 1700 V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(NDSH25170A, NDSH10170A) 2개를 통해 설계자는 SiC로 고효율을 제공하면서 고온에서 안정적인 고전압 작동을 달성할 수 있다. 재생 에너지 애플리케이션은 1100 V ~ 1500 V DC 버스(Bus)의 태양광 시스템을 통해 지속적으로 더 높은 전압으로 이동한다. 이러한 변화를 지원하기 위해 소비자는 더 높은 BV를 가진 MOSFET이 필요하다. 새로운 1700 V EliteSiC MOSFET은 -15 V/ 25 V의 최대 Vgs 범위를 제공하고, 게이트 전압이 -10 V까지 변동하는 빠른 스위칭 애플리케이션에 적합하여 향상된 시스템 신뢰성을 제공한다. 40 A(Amps)에서 1200 V의 테스트 조건에서 1700 V EliteSiC MOSFET은 200 nC의 게이트 전하(Qg)를 달성한다. 이는 300 nC에 가까운 동급 경쟁 디바이스와 비교해 시장을 선도하는 성능이다. 낮은 Qg는 빠른 스위칭, 고전력 재생 에너지 애플리케이션에서 고효율을 달성하는 데 중요하다. 1700 V의 BV 정격에서 EliteSiC 쇼트키 다이오드 디바이스는 최대 역 전압(VRRM)과 다이오드의 피크 반복 역 전압 사이에서 향상된 마진을 제공한다. 또한 새로운 디바이스는 25 ℃에서 40 μA, 175 ℃에서 100μA의 최대 역방향 전류(IR)로 우수한 역 누설 성능을 제공한다. 이는 25 ℃에서 100 μA의 정격을 가진 경쟁 디바이스보다 훨씬 우수하다.
장바구니
주문내역
