 인피니언, CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H 태양광 시스템 인버터, EV 충전, ESS 등에 적합 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 새로운 CoolSiC™기술인 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H를 발표했다. 이 칩은 널리 사용되는 다양한 이지(Easy) 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로 제공된다. M1H 칩은 유연성이 뛰어나 태양광 에너지 시스템의 인버터같이 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션뿐만 아니라 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 및 다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다는 게 인피니언의 설명이다.
CoolSiC 베이스 기술은 최근 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 해 주어진 다이 크기로 온 저항을 향상시킨다. 또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다고 한다.
널리 사용되는 이지 제품군에 M1H가 적용됨에 따라 이지 1B 및 2B 모듈이 더욱 향상될 것으로 보이며, 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 이지 3B 모듈도 출시될 것으로 보인다.
또한, 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 되었다. 그리고 M1H 칩으로 모듈의 온 저항을 크게 향상시키고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있다. 이외에도, 175°C의 최대 접합부 온도는 과부하 성능을 향상시킴으로써 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높이도록 한다. 앞서 출시된 M1과 비교해서 M1H는 내부 RG를 포함하므로 스위칭 동작을 쉽게 최적화할 수 있으며, 동적 동작은 그대로이다.
CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온 저항이 매우 낮은 7 mΩ, 14 mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10 V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하고, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다. 인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용되었으며, 이제 TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30퍼센트 이상 향상시킨다.
<Energy News>
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