 인피니언, OptiMOS™ 출시 소스-다운 기술 적용한 전력 MOSFET
전력 시스템을 설계할 때 전력밀도나 성능의 최적화, 사용의 편의성 등이 요구되고 있다. 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 출시한 옵티엠오에스(OptiMOS™)는 이러한 설계 요구에 대응한 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET이다. 이 제품은 PQFN 3.3 ㎜×3.3 ㎜ 패키지로 25~100 V의 다양한 전압대로 제공된다. 인피니언은 이 패키지가 높은 효율과 전력밀도, 우수한 열관리, 낮은 BOM(bill of material)을 제공한다며, 모터드라이브나 서버, 텔레콤 용 SMPS, OR-ing 및 배터리 관리 시스템 등의 애플리케이션에 적합하다고 전했다.
표준 드레인-다운(Drain-Down)과 비교하자면, 소스-다운(Source-Down) 패키지 기술은 동일한 패키지 아웃라인에 더 넓은 실리콘 다이 탑재가 가능하다. 또한, 패키지로 인한 손실을 줄여 최신 드레인-다운 패키지 대비 RDS(on)을 최대 30 %까지 줄일 수 있다고 한다. 시스템 관점에서도 SuperSO8 5 ㎜×6 ㎜ 풋프린트를 PQFN 3.3 ㎜×3.3 ㎜ 패키지로 교체하면 공간을 약 65 % 절약해 폼팩터(form factor)를 축소할 수 있다. 이 점은 시스템의 전력밀도와 효율을 높이는 데 도움이 된다. 또한, 소스-다운은 본드와이어나 구리클립 대신 열 패드를 통해 PCB로 직접 소산(疏散)시키는 방식이기 때문에 열 저항 RthJC를 1.8 K/W에서 1.4 K/W로 낮춰 열관리 효율을 20 % 이상 높일 수 있다.
인피니언은 ‘소스-다운 표준 게이트’와 ‘소스-다운 센터 게이트’ 두 가지 풋프린트 버전과 레이아웃 옵션을 제공한다고 밝혔다. 표준 게이트 레이아웃은 드레인-다운 패키지의 ‘드롭인 교체’(Drop-in replacement)를 단순화하고, 센터 게이트 레이아웃은 병렬화를 수월하게 한다. 이 두 가지 옵션은 PCB에서 디바이스 배치와 기생성분을 최적화하고 사용 편의성을 제공한다.
한편, 인피니언은 단일 채널 게이트 드라이버 IC 제품군으로 ‘EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V’을 출시한다고 밝혔다. 이 제품군은 CoolGaN™ 쇼트키 게이트(SG) HEMT의 성능 향상을 위해 설계되었으며, 다른 GaN HEMT 및 실리콘 MOSFET과도 호환된다. 이들 게이트 드라이버는 DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 텔레콤, 서버, 로봇, 드론, 전동 공구, Class-D 오디오 증폭기 등의 애플리케이션에 적합하다고 한다.
<Energy News>
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