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Å°»çÀÌÆ®, µ¿Àû Àü·Â µð¹ÙÀ̽º ºÐ¼®±â ¹ßÇ¥
2019³â 9¿ù 1ÀÏ (ÀÏ) 00:00:00 |   Áö¸é ¹ßÇà ( 2019³â 9¿ùÈ£ - Àüü º¸±â )

Å°»çÀÌÆ®, µ¿Àû Àü·Â µð¹ÙÀ̽º ºÐ¼®±â ¹ßÇ¥
ÀÌÁß ÆÞ½º Å×½ºÅÍ Æ÷ÇÔ, ¾ÈÀüÇÑ WBG ¹ÝµµÃ¼ Å×½ºÆ® ȯ°æ

Å°»çÀÌÆ®Å×Å©³î·ÎÁö½º°¡ ÀÌÁß ÆÞ½º(Double Pulse) Å×½ºÅÍ°¡ Æ÷ÇÔµÈ »õ·Î¿î µ¿Àû Àü·Â µð¹ÙÀ̽º ºÐ¼®±â PD1500A¸¦ ¹ßÇ¥ Çß´Ù. ÀÌ ºÐ¼®±â´Â ÃøÁ¤ Çϵå¿þ¾î¿Í Å×½ºÆ®¸¦ ¼öÇàÇÏ´Â Àü¹®°¡ÀÇ ¾ÈÀüÀ» º¸ÀåÇϸ鼭 ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸(WBG) ¹ÝµµÃ¼¿¡ ´ëÇÑ ¾ÈÁ¤ÀûÀÌ°í ¹Ýº¹ °¡´ÉÇÑ ÃøÁ¤À» Á¦°øÇÑ´Ù. 

±Û·Î¹ú Àü±âÂ÷ ½ÃÀå(EV)ÀÇ ¼ºÀåÀÌ ¼ÒÇüÀÇ °íÀü·Â, °íÈ¿À² Àü ±â Àü·Â ½Ã½ºÅÛÀÇ ¼ö¿ä¸¦ ÃËÁøÇÏ°í ÀÖ´Ù. Àç»ý ¿¡³ÊÁö¿Í EV ¿Í °°Àº ¹Ì¼Ç Å©¸®Æ¼Äà ºÐ¾ß¿¡¼­ ¾÷°è°¡ ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸ ¹Ýµµ ü ±â¼ú·Î ÀüȯÇÏ°í ÀÖ´Â Áö±Ý, ¸¹Àº Àü·Â º¯È¯±â ¼³°èÀÚµé ÀÌ ½Å·Ú¼º µîÀ» ÀÌÀ¯·Î IGBT(insulated-gate bipolar transistor), SiC(silicon carbide), GaN(gallium nitride) µîÀ» äÅÃÇÏ´Â µ¥ ÁÖ ÀúÇÏ°í ÀÖ´Ù. 

SiC ¶Ç´Â GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ¿Ïº®ÇÑ Æ¯¼ºÈ­¸¦ À§Çؼ­´Â Á¤Àû ¹× µ¿Àû ÃøÁ¤ÀÌ ¿ä±¸µÈ´Ù. Å°»çÀÌÆ® B1505A ¹× B1506A Àü ·Â µð¹ÙÀ̽º ºÐ¼®±â°¡ ÀÌ·¯ÇÑ µ¿Àû ÃøÁ¤À» Á¦°øÇϸç, »õ·Î¿î PD1500A Ãß°¡·Î ´Ù¾çÇÑ µ¿Àû ÃøÁ¤À» ó¸®ÇÏ´Â µ¥ ÇÊ¿äÇÑ À¯¿¬¼º±îÁö Á¦°øÇÑ´Ù. ¹ÝµµÃ¼ °Å·¡ ¹× ¿£Áö´Ï¾î¸µ Ç¥ÁØÈ­ ±â±¸ ÀÎ JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)°¡ Á¦Á¤ ÇÑ ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸ µð¹ÙÀ̽º Ç¥ÁØÀÌ °è¼Ó ¹ßÀüÇÏ°í Àֱ⠶§¹® ¿¡ ÀÌ·¯ÇÑ ±â´ÉÀº ¸Å¿ì Áß¿äÇÑ ¿ä¼Ò´Ù.

Å°»çÀÌÆ®ÀÇ PD1500A´Â ¸ðµâ½ÄÀ¸·Î ¼³°èµÇ¾î ÀÖ¾î ¸¹Àº µð ¹ÙÀ̽º À¯ÇüÀ» Å×½ºÆ®ÇÒ ¼ö ÀÖ°í ´Ù¾çÇÑ Àü·Â ¼öÁØ¿¡¼­ ¿©·¯ Ư¼ºÈ­ Å×½ºÆ®¸¦ ¼öÇàÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. Ãʱ⠽ýºÅÛÀº ÃÖ´ë Á¤°Ý ÀÌ 1.2 §Ç¿Í 200 AÀÎ Si ¹× SiC Àü·Â ¹ÝµµÃ¼¿¡ ´ëÇÑ ¿Ïº®ÇÑ ÀÌ Áß ÆÞ½º Å×½ºÆ® Ư¼ºÈ­¿Í ¸Å°³º¯¼ö ÃßÃâÀ» Á¦°øÇÑ´Ù. Å°»çÀÌ Æ® ÃøÀº ÇâÈÄ GaN ¹× Àü·Â ¸ðµâ°ú °°ÀÌ ´õ ¸¹Àº Àü·ù¸¦ ÇÊ¿ä ·Î ÇÏ´Â µð¹ÙÀ̽º¿¡¼­ Å×½ºÆ®¸¦ ¼öÇàÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï PD1500A ¿¡ ¸ðµâÀ» Ãß°¡ÇÒ °ÍÀ̶ó°í Çß´Ù.

À̹ø ½ÅÁ¦Ç°Àº ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸(WBG) ¹ÝµµÃ¼¿¡ ´ëÇÑ ¾ÈÁ¤ÀûÀÌ °í ¹Ýº¹ °¡´ÉÇÑ ÃøÁ¤À¸·Î »ç¿ëÀÚµéÀÌ ¼³°è ½Ã°£°ú ÇÊ¿äÇÑ ÇÁ ·ÎÅäŸÀÔ ¼ö¸¦ ÁÙ¿© ºñ¿ë°ú Á¦Ç° Ãâ½Ã¿¡ °É¸®´Â ½Ã°£À» ´ÜÃà ½ÃÄÑÁÙ °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.

Å°»çÀÌÆ®Å×Å©³î·ÎÁö½º 02-2004-5212 www.keysight.com

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Çѱ¹Ç÷çÅ©, Àü±âÅ×½ºÅÍ T6 Ãâ½Ã (2018-01-01)
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