TI의 새로운 절연 게이트 드라이버

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TI의 새로운 절연 게이트 드라이버

2019년 8월 1일 (목) 00:00:00 | 지면 발행 ( 2019년 8월호 - 전체 보기 )

TI의 새로운 절연 게이트 드라이버

IGBT 및 SiC MOSFET 센싱 통합

TI는 첨단 모니터링 기능과 보호 기능을 제공하는 고전압 시 스템용 절연 게이트 드라이버를 발표했다. 이번에 공개된 UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750은 트랙션 인버터, 온 보드 충전기, 솔라 인버터, 그리고 모터 드라이브에서 더 작 고, 성능과 효율을 높이는 디자인을 구현할 수 있다고 한다. 공개된 디바이스들의 특징은 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지 스터)와 실리콘 카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지 스터(MOSFET)를 위한 집적 통합 센싱 기능을 제공하는 것이 다. 이에 대해 TI 측은 업계 최초라는 수식을 붙였다. 디바이스 의 통합 센싱 기능으로 디자인은 간소화할 수 있고, 최대 1.5 ㎸ rms로 동작하는 애플리케이션에서 시스템의 신뢰성도 향상시 킬 수 있다고 한다. 그리고 통합된 컴포넌트들은 과전류 상태를 신속하게 탐지하고 안전하게 시스템을 정지시킨다.

또한, UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750은 전기 용량 성 절연 기술을 사용해 절연 장벽의 수명을 확장하는 것은 물론, 더욱 강화된 절연 등급과 빠른 데이터 속도를 구현하고 고밀도 패키징을 가능하게 한다.

TI의 스티브 램버시스(Steve Lambouses) 고전압 전력 제품 담 당 부사장은 “고전압 모터 드라이브와 전원 공급 애플리케이 션에서 시스템 견고성에 대한 요구조건이 점점 까다로워지고 있다”며, “절연 기술을 사용하는 TI의 새로운 게이트 드라이버 는 다른 통합 기능과 결합해서 엔지니어가 공간과 비용을 최 소화하고, 보다 신속하게 신뢰할 수 있는 시스템 생산 단계로 진입할 수 있도록” 한다고 설명했다.

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