650V 역 전도 IGBT 제품군, 스위칭 손실 30% 감소로 에너지 효율 향상, 디스크리트 RC-H5 650V 전력 반도체

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650V 역 전도 IGBT 제품군, 스위칭 손실 30% 감소로 에너지 효율 향상, 디스크리트 RC-H5 650V 전력 반도체

2014년 6월 1일 (일) 00:00:00 | 지면 발행 ( 2014년 6월호 - 전체 보기 )

650V 역 전도 IGBT 제품군, 스위칭 손실 30% 감소로 에너지 효율 향상

디스크리트 RC-H5 650V 전력 반도체

인피니언 테크놀로지스는 공진 애플리케이션을 위한 자사의 차세대 역 전도(Reverse Conducting, RC) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 포트폴리오에 모노리딕으로 RC 다이오드를 통합한 650V 제품을 추가했다. 이 새로운 디스크리트 RC-H5 650V 전력 반도체는 멀티-홉 인덕션 스토브와 인버터형 전자레인지뿐만 아니라, 모든 부분 하드 스위칭 하프 브리지 토폴로지에 이용하기에 탁월한 솔루션이다. RC-H5 시리즈의 모든 제품들과 마찬가지로 새롭게 출시된 디스크리트 650V 전력 반도체는 이전 세대 제품과 비교해 매우 뛰어난 에너지 효율을 달성한다. 스위칭 손실을 30% 낮춤으로써 디자이너들이 최대 40kHz의 스위칭 주파수를 이용해 설계할 수 있도록 하였다. 대체적으로 이 새로운 디스크리트 전력 반도체는 우수한 에너지 효율을 달성하며, 전체 시스템의 에너지 소모를 5퍼센트 줄일 수 있다. 이처럼 뛰어난 에너지 효율을 달성할 뿐만 아니라, RC-H5 650V 제품을 기반으로 하는 시스템은 높아진 블로킹 전압 덕분에 그만큼 설계 마진이 늘어나 향상된 신뢰성을 달성할 수 있게 한다. 이 650V 제품은 전반적으로 시스템으로 주입되는 스트레인(Strain)을 낮추고, 향상된 EMI 동작은 더 적은 필터링을 필요로 하여 고속 소프트 스위칭 시스템에서 매우 유용하다. 또한 최적화된 열 성능은 최대 175°C에 이르는 주변 온도에서 견고한 동작을 가능하게 한다.

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