 인피니언, 세계 초박형 20µm 전력반도체 웨이퍼 공개 기판 저항 절반으로 감소해 15% 이상의 전력손실 감소 인피니언 테크놀로지스가 대규모 반도체 팹에서 직경 300mm에 두께가 20µm(마이크로미터)에 불과한 역대 가장 얇은 실리콘 전력 웨이퍼 프로세싱에 획기적인 성과를 거두었다고 밝혔다. 이 초박형 실리콘 웨이퍼는 인간 머리카락 두께의 4분의 1에 불과하고, 현재 첨단 웨이퍼 두께인 40~60µm의 절반에 불과하다.
웨이퍼 두께를 절반으로 줄이면 웨이퍼 기판 저항이 50% 감소해 기존 실리콘 웨이퍼 기반 솔루션 대비 전력 손실이 15% 이상 줄어든다. 높은 전류 레벨로 에너지 수요가 증가하고 있는 하이엔드 AI 서버 애플리케이션의 경우, 전압을 230V에서 1.8V 이하의 프로세서 전압으로 낮춰야 하는 전력 변환에 특히 중요하다. 초박형 웨이퍼 기술은 수직 트렌치 MOSFET 기술 기반의 수직 전력 공급 설계를 강화해 AI 칩 프로세서에 매우 가깝게 연결함으로써 전력 손실을 줄이고 전반적인 효율을 향상시킨다.
웨이퍼의 칩을 고정하는 금속 스택이 20µm보다 두껍기 때문에, 웨이퍼 두께를 20µm로 줄이기 위해서는 혁신적이고 독특한 웨이퍼 그라인딩 방식을 구축해야 했다. 이는 얇은 웨이퍼의 뒷면을 핸들링하고 프로세싱하는 데 큰 영향을 미친다. 또한 웨이퍼 휘어짐 및 분리와 같은 기술 및 생산 관련 과제는 백엔드 조립 공정에 큰 영향을 미친다. 20µm 박막 웨이퍼 공정은 인피니언의 기존 제조 전문성을 기반으로 하며, 새로운 기술을 기존 대량 Si 생산라인에 원활하게 통합할 수 있어 최고의 수율과 공급 안정성을 보장한다. 이 기술은 이미 공급된 인피니언의 IPS(Integrated Smart Power Stage, DC-DC 컨버터)에 검증 및 적용됐다.
· 인간 머리카락의 1/4, 현재 첨단 웨이퍼인 40~60µm의 절반에 불과한 웨이퍼 두께 자랑 · 두께 감소로 웨이퍼 기판 저항도 50% 감소, 기존 대비 전력 손실 15% 이상 감소 효과 · 새로운 기술을 기존 대량 Si 생산라인에 원활하게 통합할 수 있어 최고의 수율과 공급 안정성 보장
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<Energy News>
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