반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 극히 낮은 게이트-드레인 전하(QGD)와 온저항(RDS(on))을 통합해 이전 세대 동급 디바이스 대비 성능지수(FoM: Figure of Merit)가 40 % 향상된 N-채널 100 V 전력 MOSFET인 STL120N10F8를 출시했다. 이 새로운 MOSFET은 ST의 첨단 STPOWER STripFET F8 기술을 활용하며, 이 기술은 스위칭 성능의 효율성을 높이기 위해 낮은 게이트 전하와 함께 매우 낮은 전도 손실을 제공하는 산화물 충전 트렌치(Oxide-Filled Trench)를 도입했다. 이로써 STL120N10F8은 최대 4.6 mΩ의 RDS(on)(VGS = 10 V에서)으로 최대 600 kHz 스위칭 주파수에서 효율적으로 동작한다.
또한, STripFET F8 기술은 드레인-소스(Drain-Source) 전압 스파이크를 완화하고, 낭비되는 충방전 에너지를 최소화하도록 출력 커패시턴스 값을 보장한다. 이와 함께 MOSFET 바디-드레인-다이오드(Body-Drain-Diode) 특성도 더욱 완화됐다. 이러한 개선의 결과로 전자파 방출을 줄이고, 해당 제품 표준에 적합한 EMC(Electromagnetic Compatibility) 성능을 입증하는 최종 시스템의 적합성 테스트가 간편해졌다. 효율성이 뛰어나고 전자기 방출도 낮기 때문에 하드 스위칭 토폴로지 및 소프트 스위칭 토폴로지 모두에서 전력변환 성능을 향상시켜 준다. 특히, STPOWER 100 V STripFET F8 MOSFET은 산업용 등급 사양에서 완전 인증을 획득한 최초의 제품이다. 따라서 모터 제어 애플리케이션은 물론, 통신 및 컴퓨터 시스템용 전원공급장치 및 컨버터와 LED 및 저전압 조명 애플리케이션에 이상적이다. 가전제품 및 배터리 구동 기기에도 적합하다.
새로운 MOSFET은 고전류 애플리케이션에서 여러 디바이스를 병렬로 손쉽게 연결해주는 매우 좁은 게이트-임계 전압(VGS(th)) 확산 등의 이점을 추가로 제공한다. 또한, 매우 견고한 특성을 지녀 10 µs 범위의 펄스에서 최대 800A까지 단락 전류를 견딜 수 있다.
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