 온세미, TOLL 패키지형 650V SiC MOSFET 60% 작아진 패키징…손실은 감소하고 성능은 향상 온세미는 PCIM 유럽에서 세계 최초의 TOLL(TO-Leadless) 패키지형 SiC(Silicon Carbide) MOSFET을 발표했다. 이번에 발표한 트랜지스터는 높은 수준의 전력 밀도가 필요한 설계에 적합한 고성능 스위칭 장치의 수요 급증을 충족시킬 것으로 기대된다. 최근까지 SiC 제품은 훨씬 더 많은 공간을 필요로 하는 D2PAK 7-lead 패키지로 제공돼 왔다. TOLL 패키지는 실장 면적이 9.90?.68 ㎜로, D2PAK 패키지에 비해 PCB 면적을 30 % 줄일 수 있다. 또한 두께가 2.30 ㎜로 D2PAK 패키지보다 60 % 적은 공간을 차지한다.
TOLL 패키지는 크기가 작을 뿐만 아니라 D2PAK 7-lead보다 우수한 열 성능과 낮은 패키지 인덕턴스(2 nH)를 갖는다. 켈빈(Kelvin) 소스 구성은 켈빈 구성이 없는 장치에 비해 턴-온 손실(EON)이 60 % 감소되는 등 게이트 노이즈를 낮추고 스위칭 손실을 줄여주며, 까다로운 전력 설계에서 효율성과 전력 밀도를 크게 향상시키고 EMI 개선 및 PCB 설계를 용이하게 한다.
SiC 제품은 고주파에서의 효율성 향상, 낮아진 EMI, 높아진 동작 온도 및 더욱 높은 신뢰성을 포함하여 이전 세대 실리콘 제품에 비해 큰 이점을 제공한다. 온세미는 SiC 보울(boule) 성장, 기판, 에피택시, 제품 제작, 동급 최고의 집적 모듈 및 개별 패키지 솔루션을 포함한 수직 통합 능력을 갖춘 유일한 SiC 솔루션 공급업체이다.
TOLL 패키지로 공급되는 첫 번째 SiC MOSFET은 SMPS, 서버 및 통신 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 무 정전 전원 공급 장치(UPS) 및 에너지 스토리지를 포함한 까다로운 애플리케이션을 위한 NTBL045N065SC1이다. 이 제품은 ErP 및 80 PLUS 티타늄(Titanium)과 같은 까다로운 효율성을 요구하는 표준들을 충족해야 하는 설계에 적합하다.
또한, NTBL045N065SC1은 650 V의 VDSS 정격에 RDS(on)은 33 mΩ(TYP)에 불과하며 최대 드레인 전류(ID)는 73 A이다. WBG SiC 기술을 기반으로 하는 이 제품은 최대 동작 온도가 175 °C이고 초 저 게이트 충전(QG(tot) = 105 nC)으로 스위칭 손실을 크게 줄여준다. 또한 TOLL 패키지는 MSL 1(습도 감도 레벨 1) 등급이다.
온세미
<Energy News>
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